Нафората е направена од чист силикон (Si).Општо поделено на 6-инчни, 8-инчни и 12-инчни спецификации, нафората се произведува врз основа на оваа нафора.Силиконските наполитанки подготвени од полупроводници со висока чистота преку процеси како што се влечење и сечење кристали се нарекуваат наполитанки бекакористат тие се тркалезни во форма.Различни структури на елементи на колото може да се обработат на силиконските наполитанки за да станат производи со специфични електрични својства.функционални производи на интегрирано коло.Наполитанките минуваат низ низа процеси на производство на полупроводници за да формираат екстремно мали структури на кола, а потоа се сечат, пакуваат и се тестираат во чипови, кои се широко користени во различни електронски уреди.Материјалите од обланда доживеаја повеќе од 60 години технолошка еволуција и индустриски развој, формирајќи индустриска ситуација во која доминира силикон и надополнети со нови полупроводнички материјали.
80% од мобилните телефони и компјутери во светот се произведуваат во Кина.Кина се потпира на увоз за 95% од своите чипови со високи перформанси, така што Кина троши 220 милијарди американски долари секоја година за увоз на чипови, што е двојно повеќе од годишниот увоз на нафта од Кина.Блокирана е и целата опрема и материјали поврзани со фотолитографските машини и производството на чипови, како што се наполитанки, метали со висока чистота, машини за офорт итн.
Денеска накратко ќе зборуваме за принципот на бришење на УВ светлината на машините за нафора.Кога пишувате податоци, потребно е да се вбризга полнење во пловечката порта со примена на високонапонски VPP на портата, како што е прикажано на сликата подолу.Бидејќи инјектираното полнење нема енергија да навлезе во енергетскиот ѕид на филмот од силициум оксид, тој може само да го одржи статус квото, па затоа мора да му дадеме на полнењето одредена количина на енергија!Ова е кога е потребна ултравиолетова светлина.
Кога лебдечката порта добива ултравиолетово зрачење, електроните во лебдечката порта добиваат енергија од квантите на ултравиолетова светлина, а електроните стануваат топли електрони со енергија да навлезат во енергетскиот ѕид на филмот од силициум оксид.Како што е прикажано на сликата, жешките електрони продираат во филмот од силициум оксид, течат до подлогата и портата и се враќаат во избришана состојба.Операцијата за бришење може да се изврши само со примање ултравиолетово зрачење и не може електронски да се избрише.Со други зборови, бројот на битови може да се смени само од „1“ во „0“, а во спротивна насока.Нема друг начин освен бришење на целата содржина на чипот.
Знаеме дека енергијата на светлината е обратно пропорционална со брановата должина на светлината.За да можат електроните да станат жешки електрони и на тој начин да имаат енергија да навлезат во оксидниот филм, многу е потребно зрачењето на светлината со пократка бранова должина, односно ултравиолетовите зраци.Бидејќи времето на бришење зависи од бројот на фотони, времето на бришење не може да се скрати дури и при пократки бранови должини.Генерално, бришењето започнува кога брановата должина е околу 4000 А (400 nm).Во основа достигнува заситеност околу 3000А.Под 3000 А, дури и ако брановата должина е пократка, тоа нема да има никакво влијание врз времето на бришење.
Стандардот за бришење УВ е генерално прифаќање ултравиолетови зраци со прецизна бранова должина од 253,7 nm и интензитет од ≥16000 μ W / cm².Операцијата за бришење може да се заврши со време на експозиција кое се движи од 30 минути до 3 часа.
Време на објавување: 22-12-2023 година